突破 300 層門檻！SK 海力士宣布量產 321 層堆疊 NAND Flash https://tinyurl.com/28mesjhx 韓國記憶體大廠 SK 海力士於 21 日宣布，開始量產全球最高的 321 層堆疊 1Tb TLC 4D NAND Flash 快閃記憶體。 SK 海力士表示，從 2023 年 6 月量產當前最高的上一代 238 層堆疊 NAND Flash 快閃 記憶體，並供應於市場之後，現在又率先推出了超過 300 層堆疊的 NAND Flash 快閃記 憶體，突破了技術界限。SK 海力士計劃從 2025 年上半年起，開始向客戶提供 321 層堆 疊的產品，以此因應市場的需求。 SK 海力士強調，在此次產品開發過程中採用了高生產效率的 3-Plug 製程技術，克服了 堆疊局限。該技術分三次進行通孔製程，隨後經過優化的後續工程，將 3 個通孔進行電 氣連接。在其過程中開發出了低變形的材料，並引進了通孔間自動排列（alignment）矯 正技術。 另外，技術團隊也將上一代 238 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體的開發平台，應用於 321 層堆疊的產品上，由此最大限度地減少了製程的變化。與上一代產品相較，其生產 效率提升了 59%。還有，此次 321 層堆疊的產品與上一代產品相較，數據傳輸速度和讀 取性能分別提高了 12%、13%，並且數據讀取能效也提高 10% 以上。SK 海力士接下來將 以 321 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體，積極因應針對 AI 低功耗、高性能的新市場， 並逐漸擴大其應用範圍。 SK 海力士 NAND Flash 快閃記憶體開發副社長崔正達表示，公司率先投入 300 層堆疊以 上的 NAND Flash 快閃記憶體量產，在攻佔用於 AI 資料中心的固態硬碟、邊緣 AI 等針 對 AI 的記憶體市場方面占有有利地位。未來，公司將不僅在 HBM 為代表的 DRAM，在 NAND Flash 快閃記憶體領域也具備超高性能記憶體產品組合，將躍升為全方位面向 AI 的記憶體供應商。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 180.177.1.107 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1732164326.A.33E.html